SNPS发布了TSMC N2P 的PDK
在Next Gen工艺暂不明确的时候（充满PPT宣传艺术）的时候，
能让我们确认工艺密度数据
其PVT Corner分为6部分
- Extreme Low VT
- Low VT
- Low VT Low Leakage
- Standard VT
- Ultra Low VT
- Ultra Low VT Low Leakage
逻辑方面分为两种库
High Density（HD)
- Cell H 130nm
- Gate Pitch 48nm
- Gate Length 3nm
High Speed（HP)
- Cell H 156nm
- Gate Pitch 48nm
- Gate Length 3nm
基于CH和Gate Pitch能做其密度计算
| TSMC N2P | HD | HP |
|---|---|---|
| Gate Length | 3nm | 3nm |
| Cell Height | 130nm | 156nm |
| Gate Pitch | 48nm | 48nm |
| Logic Density/mm2 | 236.17Mtr | 196.81Mtr |
可以很清晰的发现，从Gate Pitch角度，其GAA世代后，HD/HP都采用了相同的Gate Pitch的数据
自从上了GAA开始，HD vs HP 的逻辑密度比值是越来越小了
举栗子
N2 的HD vs HP 是1.2：1
而N7 的HD vs HP 则是 1.4 ：1
当然这是因为，步入GAA世代后，不需要增加Fin的数量了，而是增加 GAAFET 的宽度
这个密度是什么水平呢，相比自家的N3P的
| TSMC N3P | No used | Mixed HD | Standard | Mixed HP | HP |
|---|---|---|---|---|---|
| Finflex | 1-1 | 2-1 | 2-2 | 3-2 | 3-3 |
| Cell Height | 117nm | M143nm | 169nm | M195nm | 227nm |
| Gate Pitch | 48nm | 48nm | 48nm/54nm | 54nm | 54nm |
| Logic Density/mm2 | 262.41Mtr | 214.7Mtr | 181.67Mtr/161.48Mtr | 139.95Mtr | 120.22Mtr |
HD
HD方面
如果根据TSMC N3P的 Mixed 2-1的HD vs TSMC N2P的 HD 的情况下
从密度角度出发，其密度仅增加10%（236.17/214.7=1.1）
但是毕竟TSMC N3有个Finflex的玩法，其有个不能使用的 lib（H117P48)
抛开finflex，其Standard HD 仅为181.67Mtr，N2P的HD 相比其增大了30%，还是可观的
Gate Pitch则是保持不变，皆为48nm，未发生scaling
| TSMC N2P HD | TSMC N3P 2-1 | TSMC N3P Std HD 2-2 | |
|---|---|---|---|
| Cell H | 130nm | M143nm | 169nm |
| Gate Pitch | 48nm | 48nm | 48nm |
| Logic Density | 236.17Mtr | 214.7Mtr | 181.67Mtr |
HP
而HP方面
其TSMC N2的 HP 相比TSMC N3P 的 Standard HP 增大了21.87%
| TSMC N2 HP | TSMC N3 Std HP | |
|---|---|---|
| Cell H | 156nm | 169nm |
| Gate Pitch | 48nm | 54nm |
| Logic Density | 196.81Mtr | 161.48Mtr |